單晶和熔融淬火高密度Cu2-xSe塊材的優(yōu)異本征熱電性能
【引言】
由于我們?nèi)找鎳?yán)重的環(huán)境問(wèn)題和能源危機(jī)，高溫?zé)犭姡═E）技術(shù)對(duì)于可持續(xù)和環(huán)保的清潔能源供應(yīng)越來(lái)越重要。當(dāng)結(jié)上形成溫度梯度時(shí)，熱能可以直接轉(zhuǎn)化為電能。
【成果介紹】
高溫?zé)犭姴牧系闹苽涑杀靖?、工藝?fù)雜，部分阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。在這項(xiàng)工作中，我們提出了熱電材料的另外兩個(gè)重要特性：高晶體對(duì)稱性和同相熔融。通過(guò)對(duì)Cu2-xSe的晶體結(jié)構(gòu)和Cu-Se二元相圖的分析，我們認(rèn)為新近發(fā)現(xiàn)的Cu2-xSe熱電材料，其品質(zhì)因數(shù)zT大于1.5at（1000K），理論上滿足這些要求。采用激光閃光法(LINSEIS LFA 1000)測(cè)量了熱擴(kuò)散系數(shù)（D）。我們發(fā)現(xiàn)其優(yōu)良的熱電性能是固有的，對(duì)晶粒度的依賴性較小，而高密度的樣品可以通過(guò)熔體淬火的方法很容易地制備出來(lái)。我們的結(jié)果顯示，熔融淬火樣品和單晶的熱電性能幾乎相同，在973 K的溫度下zT高達(dá)1.7–1.8。我們的發(fā)現(xiàn)不僅為具有優(yōu)異熱電性能的高密度Cu2-xSe塊體提供了一種廉價(jià)、快速的制備方法，為Cu2-xSe在實(shí)際熱電模塊中作為一種優(yōu)良的元件實(shí)現(xiàn)商業(yè)化鋪平了道路，同時(shí)也為尋找具有高晶體對(duì)稱性的新型熱電系統(tǒng)或進(jìn)一步提高其他現(xiàn)有同成分熔融熱電材料的性價(jià)比提供了指導(dǎo)。
【圖文導(dǎo)讀】
圖1：（a） 銅硒系統(tǒng)的二元相圖。插圖所示為高溫b相Cu2-xSe的3D單元。
（b） 高溫b相Cu2-xSe的單胞分別朝向（100）和（111）平面觀察。
圖2：制備樣品的X射線衍射圖：（a） 用改進(jìn)的Bridgman法生長(zhǎng)Cu2-xSe單晶。（b） 水淬Cu2-xSe。（c） 淬火Cu2-xSe。（d） 低溫a相Cu2-xSe的標(biāo)準(zhǔn)XRD峰。
圖3：樣品的FE-SEM圖像:(a, b)單晶的表面和截面圖像。插圖顯示了Cu, Se單晶的光學(xué)圖像。水淬Cu2-xSe的斷面圖像 (c) 。內(nèi)部(d)和近表面(e)淬火Cu2-xSe塊的圖像。(f) e圖中A區(qū)的放大圖像。
圖4：?jiǎn)尉Ш统焖俪尚蜟u2-xSe塊體熱電輸運(yùn)性質(zhì)的溫度依賴性：
（a） 電阻率（r），（b） 塞貝克系數(shù)（S），（c） 總熱導(dǎo)率（k），（d） 晶格熱導(dǎo)率（k L），（e） 功率因數(shù)（PF），以及（f） 熱電優(yōu)值（zT）。
【結(jié)論】
結(jié)果表明，快速熔體淬火法能很好地制備出具有優(yōu)良TE性能的高密度Cu2-xSe塊材，973k時(shí)zT<1.7，該方法也適用于其它類型的同熔TE材料。值得注意的是，由于熔體淬火只需少量的時(shí)間，因此可以顯著降低單位時(shí)間的制造成本。我們也有提出了銅離子的立方晶對(duì)稱性和液態(tài)性，使Cu2-xSe表現(xiàn)出*的TE性能。我們的研究結(jié)果為Cu2-xSe作為T(mén)E模塊中的優(yōu)良組分的商業(yè)化鋪平了道路，也為尋找新的各向同性TE體系或進(jìn)一步提高其他同成分熔融TE材料的性價(jià)比提供了指導(dǎo)。